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内存现货价格下跌速度放缓估明年Q1触底

作者:沐瑶    来源:C114通信网   发布时间:2021-12-03 14:39   阅读量:16334   

业内人士表示,DRAM和NAND闪存的现货价格继续下跌,但速度有所放缓,预计将在明年第一季触底。

内存现货价格下跌速度放缓估明年Q1触底

据《电子时报》报道,11月主流8Gb和16Gb DDR4芯片现货价格下跌0.7—1.5%,而10月的平均跌幅为7%,11月3D TLC NAND闪存芯片现货价格跌幅同样较上月趋缓,SLC和MLC NAND芯片价格已停止下跌。消息人士指出,尽管渠道分销商和零售商的需求总体放缓,但对服务器应用程序和其他32GB及以上存储空间的高端模块的需求仍然强劲,并继续超出供应。。

消息人士指出,为保持价格稳定,上游芯片供应商对明年的产能扩张保持谨慎,使得现货市场的供应商能够协商出更好的价格据消息人士称,2022年DRAM整体位供应量预计将增加约5%

同时,出于盈利考虑,芯片供应商正寻求将更多用于低密度商品DRAM内存的可用产能转移至CMOS图像传感器的制造,同时启动DDR6内存研发。

该消息人士称,尽管渠道零售商和分销商对2022年第一季度的需求前景仍然悲观,但在2月中旬之后,需求的可见度有可能变得更加清晰。

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