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南大光电材料有限公司毛志标博士以《ArF光刻胶国产化的机遇和挑战》为主题发表演讲

作者:沐瑶    来源:IT之家   发布时间:2021-11-03 21:29   阅读量:16214   

11月1日至3日,第二十四届中国集成电路制造年会暨供应链创新发展论坛在广州成功举办宁波南大光电材料有限公司毛志标博士以《ArF 光刻胶国产化的机遇和挑战》为主题发表演讲

南大光电材料有限公司毛志标博士以《ArF光刻胶国产化的机遇和挑战》为主题发表演讲

毛志彪博士认为,从目前国内ic光刻胶供应情况来看,国内ic光刻胶基本依赖于日本和美国的进口,而美国对中国的贸易限制以及日本光刻胶企业产能不足,对国内IC制造企业的影响较大,导致国内IC制造企业迫切需要稳定的光刻胶供应。

目前国外光刻胶供应不稳定,极大刺激了国内替代光刻胶的需求同时,伴随着汽车电子,5G等新应用的不断拓展,国内市场对ic光刻胶的需求进一步增加

值得注意的是,毛志彪博士指出,国内ic光刻胶仍面临四大挑战。

一是本土人才缺乏,需要引进人才,自主培养人才。

二是光刻胶产品测试验证成本高,国内缺乏必要的测试验证能力。光致抗蚀剂又称光刻胶,是一种经过光照后仍能抗蚀的高分子化合物。

三是国产替代的现实决定了目前国产光刻胶产品的定制化特征。提高光刻胶的分辨率是发展先进集成电路和芯片制造技术的重要途径,光刻胶的分子组成,结构和力学性能与其光刻分辨率密切相关。

四是国内缺乏光刻胶产业链和光刻胶原材料的研发。

毛志彪博士认为,光刻胶的原料主要包括溶剂,成膜树脂,光酸和抑制剂,其中最难的材料是成膜树脂,它不仅用于成膜,还决定了光刻胶产品的光刻性能和刻蚀性能树脂是一种高分子材料,因此需要对纳米尺度的材料进行控制,对微观领域有深入的了解

毛志彪博士指出,国内光刻胶需要建立从原材料到光刻胶产品的产业链,不断投入原材料研发,以支撑长期健康发展。它用于在半导体衬底表面产生电路形状,是芯片制造的重要材料。。

目前,宁波南大光电已成功开发ArF光刻胶产品体系,建成光刻胶生产测试基地,培养了一支基础人才队伍。

毛志彪博士表示,作为光刻胶领域的后起之秀,南大光电依然面临严峻挑战,还有很长的山路要走,需要更多的人才加入我们的团队,共同打造国产光刻胶的未来。

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