他表示1aDRAM已于7月在总部开始量产中国工厂还有很多时间
作者:叶知秋 来源:IT之家 发布时间:2021-11-25 20:21 阅读量:8709
,众所周知,由于某些原因,ASML 最先进的 EUV 光刻机无法进入中国内地,甚至一些海外厂商换下来的旧设备也很难进入内地。
此前路透社援引知情人士的话报道称,韩国企业 SK 海力士无锡工厂的升级改造计划遇阻,仅仅是因为阿斯麦的极紫外光刻机无法获批进入中国大陆,虽然 SK 海力士十分希望通过该设备提高存储芯片的生产效率。
据多个外媒报道,SK 海力士 CEO 李锡熙对此进行了回应,并就无锡海力士半导体工厂的相关情况进行了沟通。
22 日上午,李锡熙社长在首尔三成洞 COEX 举办的‘第 14 届半导体日’活动上会见记者时表示:我们可以通过合作很好地应对。路透社报道称,SK海力士在一份声明中表示,这家8英寸代工厂主要生产电源管理,显示驱动器和微控制器单元半导体等芯片。。
他认为,SK 海力士有足够的时间将 EUV 设备进口到中国李锡熙对于引进受限一事表示:正与美方合作,目前进展良好EUV 光刻技术已经在韩国本土的 DRAM 产线上应用,中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通
当被问及此时是否会影响无锡工厂正常工作时,他表示,1a DRAM 已于 7 月在总部开始量产中国工厂还有很多时间。
本站了解到,SK 海力士在无锡工厂引进的光刻机将用于制造 10nm DRAM 芯片,也就是第四代内存SK 海力士已经在京畿道利川和无锡的工厂生产此类 DRAM从去年 7 月开始,SK 海力士还量产了全球首次应用 EUV 的 10nm 级第 4 代DRAM
根据此前 TrendForee 统计数据,无锡工厂对全球电子行业至关重要,其生产了 SK 海力士约半数的动态随机存储器芯片,占全球总量的 15%另一家市场分析公司 IDC 称,仅 2021 年,全球内存市场的需求就将增长 19%
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